S T U / D1855P LS
S amHop微电子Ç ORP 。
月， 2005年18
P - C hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
-55V
˚F ê乌尔（E S）
( m
W
）最大
I
D
-15A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
73 @ V
的s
= -10V
90 @ V
的s
= -4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU性S E ř IE S
TO- 252AA （D -P AK ）
的TD性S E ř IE S
的TO- 251 （1- P AK）的
S
AB公司的OL UTE最大R ATINGS
P ARAMETER
漏-S环境允许目标电压r阿婷
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
(T
A
= 25℃ unles s otherwis Ë说明）
S ymbol
Vspike
d
V
DS
V
GS
极限
60
-55
20
-15
-12
-30
-10
42
28
-55到150
W
C
单位
V
V
V
A
A
A
A
25 C
70 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
a
最大P奥尔耗散
a
TA = 25℃
TA = 70℃
工作结点和S torage
温度ř法兰
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ，结到C的酶
热ř esistance ，结到环境
1
R
JC
1 JA
R
3
50
C / W
C / W
SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
