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STU1530PL 参数 Datasheet PDF下载

STU1530PL图片预览
型号: STU1530PL
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内容描述: P沟道é nhancement模式MOSFET [P-Channel E nhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 850 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T U / D1530P L
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= -15A
最小典型最大单位
-1
-1.3
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A.Ş urface安装在FR 4局,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
20
-V
的s
=2V
25
16
20
-I
D
,排水光凭目前Ç (A )
-I
D
,排水光凭目前Ç (A )
12
-V
的s
=10,9,8,7,6,5,4,3V
15
T J = 125℃
10
8
-V
的s
=1V
4
0
5
25 C
0
-55 C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
12
-V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
-V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
R
DS ( ON)
,在-R es是tance (欧姆)
1200
1000
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
0
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
V
的s
=-10V
I
D
=-5.8A
C,C apacitance (PF )
800
600
400
200
0
C为S
Ç OS s
Ç RS s
0
5
10
15
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 3. Ç apacitance
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
温度
3