S T U / D1530P L
S amHop微电子Ç ORP 。
P reliminary Mar.28 2004年
P - C hannel ê nhancement模式的MOS FE牛逼
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
-30V
˚F ê乌尔（E S）
( m
W
）最大
I
D
-20A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
45 @ V
的s
= -10V
60 @ V
的s
= -4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
杜律诗性S E ř IE S
TO- 252AA （D -P AK ）
S DD性S E ř IE S
的TO- 251 （1- P AK）的
S
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous
a
@ T
J
=125 C
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度ř法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
-30
20
-20
-50
-20
50
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ，结到C的酶
热ř esistance ，结到环境
1
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
