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STT6603 参数 Datasheet PDF下载

STT6603图片预览
型号: STT6603
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 171 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STT6603
版本1.0
300
250
20
-is ,源极 - 漏极电流( A)
I
D
=-2.5A
10
125 C
25 C
R
DS ( ON)
(m
)
200
125 C
150
100
75 C
50
0
25 C
75 C
0
2
4
6
8
10
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图7.导通电阻与
栅源电压
1200
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
10
-V
GS
,门源电压( V)
1000
C,电容(pF )
C为S
800
600
400
200
0
0
COS。S
Ç RS s
5
10
15
20
25
30
8
6
4
2
0
0
V
DS
= -30V
I
D
=-2.5A
2
4
6
8
10
12
14 16
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
QG ,总栅极电荷( NC)
图9.电容
图10.栅极电荷
100
600
切换时间(纳秒)
100
60
10
-I
D
,漏电流( A)
TD (关闭)
Tr
10
R
D
S
TD (上)
(O
L
N)
im
it
10
10
0m
1m
s
ms
Tf
1
DC
1s
s
0.1
1
1
V DS = -30V ,ID = -1A
V G S = -10V
6 10
60 100 300 600
0.01
0.1
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
1
10
100 300
RG ,栅极电阻(
)
-V
DS
,漏源电压(V )
图11.开关特性
图12.最大安全工作区
Nov,17,2008
4
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