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    STT6603 参数 Datasheet PDF下载

    STT6603图片预览
    型号： STT6603
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 171 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STT6603的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STT6603的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STT6603的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STT6603的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STT6603的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STT6603的Datasheet PDF文件第7页  
    STT6603
    S A mHop微电子Ç ORP 。
    版本1.0
    P沟道增强型场效应晶体管
    产品概述
    V
    DSS
    -60V
    特点
    超级高密度电池设计低R
    DS （ ON）
    .
    坚固可靠。
    SOT- 223封装。
    I
    D
    -2.5A
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    ）最大
    180
    @
    VGS=-10V
    240
    @
    VGS=-4.5V
    D
    G
    S
    G
    因此T - 223
    S
    绝对最大额定值（
    T
    A
    =25
    °
    C除非另有说明
    )
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J,
    T
    英镑
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    -Pulsed
    b
    a
    极限
    -60
    ±20
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =70°C
    -2.5
    -2.0
    -20
    a
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    W
    °C
    2.08
    1.33
    -55到150
    最大功率耗散
    工作结存储
    温度范围
    热特性
    R
    JA
    热阻，结到环境
    a
    60
    ° C / W
    详细信息如有变更，恕不另行通知。
    Nov,17,2008
    1
    www.samhop.com.tw

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