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STM8601 参数 Datasheet PDF下载

STM8601图片预览
型号: STM8601
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内容描述: 双增强模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 255 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STM8601
版本1.0
N沟道电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
DS
=48V , V
GS
=0V
60
1
±100
V
uA
nA
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
基本特征
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
c
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=4.5A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4A
V
DS
= 5V ,我
D
=4.5A
1
1.9
48
55
12
3
58
75
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输出电容
852
V
DS
=30V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
72
45
pF
pF
pF
反向传输电容
c
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
tr
上升时间
t
D(关闭)
tf
Q
g
Q
gs
Q
gd
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
=30V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
= 3.3欧姆
V
DS
=30V,I
D
=4.5A,V
GS
=10V
V
DS
=30V,I
D
=4.5A,V
GS
=4.5V
V
DS
=30V,I
D
=4.5A,
V
GS
=10V
12
11
37.5
8
14
6.7
1.75
2.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
二极管的正向电压
b
2
0.8
1.2
A
V
V
GS
=0V,I
S
=2A
Nov,06,2008
2
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