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型号: STM8601
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内容描述: 双增强模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 255 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STM8601
S A mHop微电子Ç ORP 。
版本1.0
双增强模式场效应晶体管( N和P沟道)
产品概要( N沟道)
V
DSS
60V
产品概要( P沟道)
V
DSS
-60V
I
D
4.5A
R
DS ( ON)
(m
)最大
58
@
VGS=10V
I
D
-3.3A
R
DS ( ON)
(m
)最大
105
@
VGS=-10V
150
@
VGS=-4.5V
75
@
VGS=4.5V
D
2
D
2
5
6
7
8
4
3
2
1
G
2
S
2
G
1
S
1
S 0 - 8
1
D
1
D
1
绝对最大额定值(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
b
d
a
N沟道
60
±20
T
A
=25°C
T
A
=70°C
4.5
3.6
16
15
T
A
=25°C
T
A
=70°C
2.0
1.28
P沟道
-60
±20
-3.3
-2.6
12
20
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储
温度范围
-55到150
热特性
R
JA
热阻,结到环境
a
62.5
° C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
Nov,06,2008
1
www.samhop.com.tw