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    STM8319 参数 Datasheet PDF下载

    STM8319图片预览
    型号： STM8319
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    内容描述： 双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道） [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 253 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STM8319的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STM8319的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STM8319的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM8319的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM8319的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STM8319的Datasheet PDF文件第9页浏览型号STM8319的Datasheet PDF文件第10页浏览型号STM8319的Datasheet PDF文件第11页  
    STM8319
    版本1.0
    P沟道
    20
    V
    GS
    =10V
    V
    GS
    =5V
    V
    GS
    =4.5V
    12
    V
    GS
    =3.5V
    8
    20
    125 C
    V
    GS
    =4V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    16
    16
    12
    25 C
    8
    -55 C
    4
    0
    4
    V
    GS
    =3V
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    0
    0.9
    1.8
    2.7
    3.6
    4.5
    5.4
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    图1.输出特性
    90
    75
    60
    45
    30
    V
    GS
    =-10V
    15
    1
    V
    GS
    =-4.5V
    图2.传输特性
    2.0
    1.8
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻
    归
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    V
    GS
    =-10V
    I
    D
    =-6A
    V
    GS
    =-4.5V
    I
    D
    =-4.9A
    1
    4
    8
    12
    16
    20
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T J （
    °C )
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    TJ ，结温（ ° C）
    图3.导通电阻与漏电流
    与栅极电压
    1.2
    图4.导通电阻变化与漏
    电流和温度
    BVDSS ，归
    漏源击穿电压
    1.3
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    I
    D
    =-250uA
    Vth时，归一化
    门源阈值电压
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    0.5
    -50 -25
    0
    25
    50
    75
    V
    DS
    =V
    GS
    I
    D
    =-250uA
    100 125 150
    TJ ，结温（ ° C）
    TJ ，结温（ ° C）
    图5.门阈值变化
    随温度
    7
    图6.击穿电压变化
    随温度
    Oct,29,2007
    www.samhop.com.tw

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