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STM8319 参数 Datasheet PDF下载

STM8319图片预览
型号: STM8319
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内容描述: 双增强模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 253 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STM8319
版本1.0
P沟道电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
V
-1
±10
uA
uA
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
=0V
-30
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4.9A
V
DS
= -5V ,我
D
=-6A
-1.0
-1.6
27
38
8.5
-3.0
35
52
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
c
V
DS
=-15V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
790
215
120
10
15
67
33
15
7.5
1.4
4
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
D(上)
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
= 6欧姆
V
DS
=-15V,I
D
=-6A,V
GS
=-10V
V
DS
=-15V,I
D
=-6A,V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V,I
D
=-6A,
V
GS
=-10V
漏源二极管的特性
最大连续漏源二极管的正向电流
I
S
V
SD
二极管的正向电压
b
V
GS
=0V,I
S
=-1.7A
-0.76
-1.7
-1.2
A
V
笔记
_
a.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300US ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C,V
DD
= 20V,V
GS
=10V,L=0.5mH.
Oct,29,2007
3
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