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    STM8305 参数 Datasheet PDF下载

    STM8305图片预览
    型号： STM8305
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双ê nhancement模式场效应晶体管（ N和P沟道） [Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 1119 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STM8305的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STM8305的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STM8305的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STM8305的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM8305的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM8305的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STM8305的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STM8305的Datasheet PDF文件第9页  
    S T M8305
    电气特性（T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    二极管的正向电压
    符号
    b
    条件
    V
    GS
    = 0V ，是= 1.7A
    V
    GS
    = 0V ，是= -1.7A
    N沟道
    P沟道
    最小典型最大单位
    0.8
    -0.8
    1.2
    -1.2
    C
    漏源二极管的特性
    V
    SD
    V
    笔记
    a.Surface安装在FR4板，T
    ＜
    10sec.
    * R
    JA
    62.5 C / W安装在1英寸时，
    2
    FR -4板2盎司铜
    * R
    JA
    在为125℃ / W安装在0.02的时候
    2
    FR -4板2盎司铜
    b.Pulse测试：脉冲宽度
    ＜
    300μS ，占空比
    ＜
    2%.
    设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
    N沟道
    20
    16
    V
    GS
    =4.5V
    V
    GS
    =5V
    V
    GS
    =10V
    25
    V
    GS
    =4V
    20
    -55 C
    5
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    12
    V
    GS
    =3.5V
    8
    V
    GS
    =3V
    V
    GS
    =2.5V
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    15
    10
    TJ = 125℃
    5
    0
    0.0
    25 C
    0.8
    1.6
    2.4
    3.2
    4.0
    4.8
    4
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    图1.输出特性
    1200
    1000
    2.2
    图2.传输特性
    V
    的s
    =10V
    I
    D
    =6.6A
    R
    DS （ ON）
    ，在-R es是tance
    （归一化）
    1.8
    1.4
    1.0
    0.6
    0.4
    0
    -50
    C，电容（pF ）
    800
    600
    400
    200
    CRSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    科斯
    西塞
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125 150
    TJ （ C）
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    图3.电容
    图4.导通电阻变化与
    漏电流和温度
    4

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