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型号: STM8305
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内容描述: 双ê nhancement模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 1119 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T M8305
S amHop微电子Ç ORP 。
月, 2005年13
双ê nhancement模式域E ffect晶体管( N和P沟道)
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
( N-C hannel )
V
DS S
30V
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
(P - C hannel )
V
DS S
-30V
I
D
7A
R
DS ( ON) (M
W
)
最大
I
D
-5.3A
R
DS ( ON) (M
W
)
最大
25 @ V
的s
= 10V
40 @ V
的s
= 4.5V
D
1
8
45 @ V
的s
= -10V
60 @ V
的s
= -4.5V
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
N-C hannel P-C hannel
30
20
7
6
29
1.7
2
1.44
-55到150
-30
20
-5.3
-4.2
-21
-1.7
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
a
最大P奥尔耗散
a
TA = 25℃
TA = 70℃
工作结点和S torage
温度ř法兰
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到环境
a
R
JA
1
62.5
C / W