欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

STM6914 参数 Datasheet PDF下载

STM6914图片预览
型号: STM6914
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 164 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号STM6914的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STM6914的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STM6914的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STM6914的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM6914的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM6914的Datasheet PDF文件第7页  
STM6914
版本1.0
90
75
20.0
是,源极 - 漏极电流( A)
I
D
=6.5A
10.0
R
DS ( ON)
(m
)
60
45
30
75 C
15
0
25 C
5.0
125 C
25 C
125 C
75 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图7.导通电阻与
栅源电压
900
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
10
V
GS
,门源电压( V)
750
8
C,电容(pF )
V
DS
=15V
I
D
=6.5A
600
西塞
450
300
150
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
科斯
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
,漏极至源极电压( V)
QG ,总栅极电荷( NC)
图9.电容
图10.栅极电荷
1000
80
im
it
10
0u
切换时间(纳秒)
100
Tr
TD (关闭)
TD (上)
Tf
I
D
,漏电流( A)
10
R
DS
(O
L
N)
1m
s
10
10
s
1
0m
ms
10
DC
s
1
1
VDS=15V,ID=1A
VGS=10V
6 10
60 100
600
0.1
0.03
0.1
V
GS
=10V
单脉冲
T
A
=25 C
1
10
30
RG ,栅极电阻(
)
V
DS
,漏源电压(V )
图11.开关特性
图12.最大安全工作区
Oct,23,2008
4
www.samhop.com.tw