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STM6914 参数 Datasheet PDF下载

STM6914图片预览
型号: STM6914
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 164 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STM6914
版本1.0
25
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
15
I
D
,漏电流( A)
V
GS
=4V
15
I
D
,漏电流( A)
20
V
GS
=5V
12
TJ = 125℃
9
25 C
6
-55 C
10
V
GS
=3.5V
5
V
GS
=3V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3
0
0.0
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
4.2
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
66
55
V
的s
=4.5V
图2.传输特性
1.60
1.48
1.36
1.24
1.12
1.00
0.88
V
的s
=10V
I
D
=6.5A
R
DS ( ON)
(m
)
44
33
22
11
1
V
的s
=10V
R
DS ( ON)
,导通电阻
V
的s
=4.5V
I
D
=5.1A
1
5
10
15
20
25
0
25
50
75
100
125
150
T J (
°C )
I
D
,漏电流( A)
TJ ,结温( ° C)
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1.3
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
1.15
BVDSS ,归
漏源击穿电压
Vth时,归一化
门源阈值电压
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
I
D
=250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
100 125 150
-25
0
25
50
75
100 125 150
TJ ,结温( ° C)
TJ ,结温( ° C)
图5.门阈值变化
随温度
3
图6.击穿电压变化
随温度
Oct,23,2008
www.samhop.com.tw