S T U / D421S
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
1.27
I
D
=-250uA
1.18
1.09
1.00
0.91
0.82
0.73
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
6
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
180
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
I
D
=-10A
是,S环境允许的漏电流( A)
150
10.0
5.0
125 C
R
DS ( ON)
(m
W
)
120
90
60
30
0
75 C
25 C
25 C
125 C
75 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
的s
,G吃-S环境允许的电压(V )
V
S.D。
,B ODY二极管˚F orward V oltage ( V)
˚F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
4