S T U / D421S
P沟道电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
= -10A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -6A
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
DS
= -10V ，我
D
= -10A
最小值典型值
C
最大单位
-40
1
V
uA
100 nA的
-1.0
-1.7
34
47
30
11
900
135
85
3.5
12
15
45
26
17
8
1.8
5
-3.0
45
60
V
兆欧
兆欧
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老ř esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
ř EVERSE传输电容
栅极电阻
C
为s
C
OS s
C
RSS
Rg
c
V
DS
=-20V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1.0MH
Z
V
DD
= -24V
I
D
= -10 A
V
GS
= -10V
R
GE ñ
= 3.3欧姆
VDS = -24V ， ID = -10A ， VGS = -10V
VDS = -24V ， ID = -10A ， VGS = -4.5V
欧姆
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ř ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= -24V ，我
D
= -16A
V
GS
=-10V
2
SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
