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    STD330S 参数 Datasheet PDF下载

    STD330S图片预览
    型号： STD330S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 214 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第8页  
    STU/D330S
    版本1.0
    30
    V
    GS
    =10V
    15
    V
    GS
    =5V
    V
    GS
    =4V
    18
    V
    GS
    =3.5V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    24
    12
    T J = 125℃
    9
    25 C
    6
    -55 C
    12
    V
    GS
    =3V
    6
    0
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3
    0
    0
    0.7
    1.4
    2.1
    2.8
    3.5
    4.2
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    图1.输出特性
    66
    55
    44
    33
    22
    V
    的s
    =10V
    11
    1
    图2.传输特性
    2.0
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0
    V
    的s
    =4.5V
    I
    D
    =17.5A
    V
    的s
    =10V
    I
    D
    =20A
    V
    的s
    =4.5V
    1
    6
    12
    18
    24
    30
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻
    归
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    TJ ，结温（ ° C）
    150
    T J （
    °C )
    图3.导通电阻与漏电流
    与栅极电压
    图4.导通电阻变化与漏
    电流和温度
    BVDSS ，归
    漏源击穿电压
    Vth时，归一化
    门源阈值电压
    1.3
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    -50 -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    V
    DS
    =V
    的s
    I
    D
    =250uA
    1.15
    I
    D
    =250uA
    1.10
    1.05
    1.00
    0.95
    0.90
    0.85
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    TJ ，结温（ ° C）
    TJ ，结温（ ° C）
    图5.门阈值变化
    随温度
    图6.击穿电压变化
    随温度
    Sep,03,2008
    3
    www.samhop.com.tw

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