欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

STD330S 参数 Datasheet PDF下载

STD330S图片预览
型号: STD330S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 214 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STD330S的Datasheet PDF文件第8页  
STU/D330S
版本1.0
电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
DS
=24V , V
GS
=0V
典型值
最大
单位
V
uA
nA
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
30
1
±100
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=17.5A
V
DS
= 15V ,我
D
=20A
1
1.9
22
28
15
3
28
38
V
兆欧
兆欧
S
pF
pF
pF
动态特性
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
tr
t
D(关闭)
tf
Q
g
Q
gs
Q
gd
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
V
DS
=15V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
478
100
65
V
DD
=15V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
= 6欧姆
V
DS
=15V,I
D
=20A,V
GS
=10V
V
DS
=15V,I
D
=20A,V
GS
=4.5V
V
DS
=15V,I
D
=20A,
V
GS
=10V
10.5
10
17
20
8.1
4
1.3
2.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
最大连续漏源二极管的正向电流
V
SD
二极管的正向电压
b
V
GS
=0V,I
S
=1.7A
0.79
1.7
1.2
A
V
笔记
_
a.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300US ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C,L=0.5mH,V
DD
= 20V (见Figure13 )
Sep,03,2008
2
www.samhop.com.tw