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    STB8444 参数 Datasheet PDF下载

    STB8444图片预览
    型号： STB8444
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 231 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STB8444的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STB8444的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STB8444的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STB8444的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STB8444的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STB8444的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STB8444的Datasheet PDF文件第8页  
    STB/P8444
    版本1.0
    12
    20.0
    I
    D
    =80 A
    是，源极 - 漏极电流（ A）
    10
    10.0
    R
    DS （ ON）
    (m
    W
    )
    8
    6
    4
    75 C
    2
    0
    25 C
    125 C
    125
    125 C
    25 C
    75 C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    1.0
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    V
    GS
    ，门- SORCE电压（V ）
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图7.导通电阻与
    栅源电压
    9000
    7500
    图8.体二极管正向电压
    变化与源电流
    10
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    C，电容（pF ）
    顺s
    8
    6
    4
    2
    0
    V
    DS
    = 20V
    I
    D
    = 25A
    6000
    4500
    3000
    1500
    0
    0
    Ç RS s
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    COS。S
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    QG ，总栅极电荷（ NC）
    图9.电容
    图10.栅极电荷
    2200
    Tr
    1000
    it
    10
    1m
    10
    DC
    m
    s
    s
    切换时间（纳秒）
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    1000
    600
    100
    TD （关闭）
    100
    R
    TD （上）
    DS
    (O
    L
    N)
    im
    0u
    s
    Tf
    10
    V
    的s
    =10V
    S英格尔P ulse
    T C = 25°C
    10
    1
    V DS = 20V ， ID = 1A
    V G S = 10V
    6 10
    60 100
    300 600
    1
    0.1
    1
    10
    100
    RG ，栅极电阻（
    Ω
    )
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图11.switching特点
    图12.最大安全
    工作区
    Mar,26,2008
    4
    www.samhop.com.tw

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