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型号: STB8444
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 231 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STB/P8444
S A mHop微电子Ç ORP 。
版本1.0
N沟道增强型网络场效晶体管
产品概述
V
DSS
40V
特点
超级高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
坚固可靠。
的TO-220和TO- 263封装。
I
D
80A
R
DS ( ON)
(m
)最大
4.8
@
VGS=10V
D
D
G
S
G
D
S
G
STP系列
TO-220
STB系列
TO-263(DD-PAK)
S
绝对最大额定值(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
b
d
a
极限
40
±20
T
C
=25°C
80
264
306
T
C
=25°C
62
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
事务所脉冲雪崩能量
最大功率耗散
工作结存储
温度范围
热特性
R
JC
热阻,结到外壳
R
JA
热阻,结到环境
1.8
62.5
° C / W
° C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
Mar,26,2008
1
www.samhop.com.tw