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SDU30N03L 参数 Datasheet PDF下载

SDU30N03L图片预览
型号: SDU30N03L
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 37 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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SDU/D30N03L
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时,归一化
门源阈值电压
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
ID=250uA
6
0
25
50
75 100 125 150
TJ ,结温( C)
TJ ,结温( C)
图5.门阈值变化
随温度
60
V
DS
=10V
图6.击穿电压变化
随温度
40
g
FS
,跨导( S)
是,源极 - 漏极电流( A)
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
10
1.0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
,漏源电流(A )
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图7.跨导变化
与漏极电流
10
I
D
,漏电流( A)
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
300
200
100
1m
V
GS
,门源电压( V)
8
6
4
2
0
0
V
DS
=15V
I
D
=20A
10
R
DS
(O
N
i
)L
t
mi
10
s
10
0m
s
ms
1s
DC
1
0.5
0.1
V
GS
=10V
单脉冲
TC = 25℃
5
10
15 20 25
30
35 40
1
10
30
60
QG ,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏源电压(V )
图9.栅极电荷
4
图10.最大安全
工作区