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    SDU30N03L 参数 Datasheet PDF下载

    SDU30N03L图片预览
    型号： SDU30N03L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 37 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号SDU30N03L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SDU30N03L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SDU30N03L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SDU30N03L的Datasheet PDF文件第5页  
    SDU/D30N03L
    电气特性（T
    C
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    开关特性
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    I
    D（上）
    g
    FS
    b
    符号
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250uA
    V
    DS
    = 24V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = +/-20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250uA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =15A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 12A
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 10V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 20A
    最小典型最大单位
    30
    10
    V
    uA
    +/- 100 nA的
    1
    1.5
    11.5
    17
    40
    30
    1200
    530
    150
    3
    14
    21
    V
    兆欧
    兆欧
    基本特征
    a
    栅极阈值电压
    漏源导通电阻
    通态漏电流
    正向跨导
    A
    S
    P
    F
    P
    F
    P
    F
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    b
    V
    DD
    =15V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0MH
    Z
    开关特性
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    2
    V
    DD
    = 15V,
    I
    D
    =1A,
    V
    GS
    = 10V,
    R
    根
    = 6欧姆
    5
    65
    67
    90
    34.4
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 15A,
    V
    GS
    =10V
    5.1
    7.7

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