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SDD50N03L 参数 Datasheet PDF下载

SDD50N03L图片预览
型号: SDD50N03L
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内容描述: N沟道逻辑E级nhancement模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 870 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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杜律诗/ D50N03L
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 25A
最小典型最大单位
1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
笔记
a.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计b.Guaranteed ,不受生产测试。
40
35
V
的s
=10,9,8,7,6,5,4V
30
40
25 C
6
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
25
20
15
10
V
的s
=3V
5
0
0
1
2
3
4
5
6
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
30
T J = 125℃
20
10
-55 C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
6000
1.3
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
R
DS ( ON)
归一化
漏-S环境允许,在-R es是tance
V
的s
=10V
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
T J = 125℃
25 C
-55 C
5000
C,C apacitance (PF )
4000
3000
2000
1000
0
Ç RS s
0
5
10
15
C为S
Ç OS s
20
25
30
0
10
20
30
40
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
˚F igure 3. Ç apacitance
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
Ç排水光凭目前与温度
3