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SDD50N03L 参数 Datasheet PDF下载

SDD50N03L图片预览
型号: SDD50N03L
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内容描述: N沟道逻辑E级nhancement模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 870 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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杜律诗/ D50N03L
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
b
S ymbol
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=25A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 20A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ,我
D
= 25A
最小典型最大单位
30
10
V
uA
100 nA的
1
1.5
7
10
50
25
1750
950
330
3
8
12
V
兆欧
兆欧
对煤焦ACTE R是TICS
a
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老ř esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
b
输入电容
输出电容
ř EVERSE传输电容
V
DD
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ř ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
V
DD
= 15V,
I
D
=1A,
V
GS
= 10V,
R
GE ñ
= 6欧姆
V
DS
= 10V ,我
D
= 50A ,V
GS
=10V
V
DS
= 10V ,我
D
= 50A ,V
GS
=4.5V
V
DS
= 10V ,我
D
= 50A,
V
GS
=10V
72
24
14
8
61.5
30.2
10.3
9.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC