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SDD30N03L 参数 Datasheet PDF下载

SDD30N03L图片预览
型号: SDD30N03L
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 37 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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SDU/D30N03L
电气特性(T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 25A
最小典型最大单位
1.3
V
漏源二极管的特性
a
笔记
a.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计b.Guaranteed ,不受生产测试。
60
V
GS
=10,9,8,7,6,5,4V
50
30
40
25 C
6
I
D
,漏电流( A)
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
=3V
I
D
,漏电流( A)
TJ = 125℃
20
10
-55 C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
3000
1.3
图2.传输特性
R
DS ( ON)
归一化
漏源,导通电阻
V
GS
=10V
1.2
TJ = 125℃
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
25 C
-55 C
2500
C,电容(pF )
2000
1500
1000
科斯
500
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
西塞
0
10
20
30
40
V
DS
,漏极至源极电压( V)
I
D
,漏电流( A)
图3.电容
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
3