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    SDD30N03L 参数 Datasheet PDF下载

    SDD30N03L图片预览
    型号： SDD30N03L
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    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 37 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号SDD30N03L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SDD30N03L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SDD30N03L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SDD30N03L的Datasheet PDF文件第5页  
    SDU/D30N03L
    SAMHOP微电子股份有限公司
    2002年7月
    N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
    产品概述
    V
    DSS
    30V
    特点
    超级高密度电池设计低R
    DS （上
    ).
    I
    D
    30A
    R
    DS （ ON） （M
    W
    ）典型值
    11.5 @ V
    GS
    = 10V
    17 @ V
    GS
    = 4.5V
    坚固可靠。
    的TO- 252和TO- 251封装。
    D
    D
    G
    S
    G
    D
    S
    G
    SDU系列
    TO-252AA(D-PAK)
    SDD系列
    TO-251(l-PAK)
    S
    绝对最大额定值（T
    C
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    -Pulsed
    a
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    @ TJ = 125℃
    I
    D
    I
    DM
    I
    S
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    极限
    30
    20
    30
    90
    30
    50
    0.3
    -55至175
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    W / C
    C
    漏源二极管的正向电流
    最大功率耗散@ TC = 25℃
    减免上述25℃
    工作和存储温度范围
    热特性
    热阻，结到外壳
    热阻，结到环境
    1
    R
    JC
    R
    JA
    3
    50
    C / W
    C / W

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