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型号: STD2030PLS
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内容描述: P沟道é nhancement模式F屈服效晶体管 [P-Channel E nhancement Mode F ield Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 788 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TU/D2030P LS  
E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T =25 C unless otherwise noted)  
C
Typ Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
Unit  
V
S ymbol  
a
DR AIN-S OUR C E DIODE C HAR AC T E R IS T IC S  
Diode F orward Voltage  
-0.9  
V
S D  
V
G S = 0V, Is = -10A  
-1.3  
Notes  
a.P ulse Test:P ulse Width 300us, Duty C ycle 2%.  
b.G uaranteed by design, not subject to production testing.  
25  
20  
15  
VG S =-4V  
20  
VG S =-4.5V  
V
V
G S =-5V  
G S =-8V  
15  
10  
5
Tj=125 C  
10  
5
VG S =-3V  
V
G S =-10V  
-55 C  
25 C  
0
0
0
0.7  
1.4  
2.1  
2.8  
3.5  
4.2  
0
0.5  
1
2
3
1.5  
2.5  
-VDS , Drain-to-S ource Voltage (V)  
-VG S , G ate-to-S ource Voltage (V)  
Figure 1. Output C haracteristics  
Figure 2. Transfer C haracteristics  
60  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
V
G S =-10V  
=-20A  
50  
40  
I
D
VG S =-4.5V  
VG S =-10V  
30  
20  
V
G S =-4.5V  
I
D
=-10A  
10  
0
0
-55  
-25  
50  
75  
5
10  
15  
20  
25  
125  
100  
0
25  
Tj( C )  
-ID, Drain C urrent (A)  
T j, J unction T emperature ( C )  
Figure 3. On-R esistance vs. Drain C urrent  
and G ate Voltage  
Figure 4. On-R esistance Variation with  
Drain C urrent and Temperature  
3