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型号: STD2030PLS
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内容描述: P沟道é nhancement模式F屈服效晶体管 [P-Channel E nhancement Mode F ield Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 788 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TU/D2030P LS  
E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T  
C
=25 C unless otherwise noted)  
C
Typ Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
Unit  
S ymbol  
5
OFF C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S 0V, I  
=
D -250uA  
=
Drain-S ource Breakdown Voltage  
-25  
V
BVDS S  
uA  
nA  
I
I
DS S  
G S S  
V
V
DS -20V, VG S 0V  
Zero G ate Voltage Drain C urrent  
G ate-Body Leakage  
-1  
=
=
G S  
20V, VDS 0V  
=
100  
=
a
ON C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S (th)  
-3  
V
G ate Threshold Voltage  
V
V
V
V
V
DS =VG S , I  
D
= -250uA  
-1.7  
-1  
32  
55  
27  
41  
m ohm  
m ohm  
=
=
G S -10V, I  
GS =-4.5V, I  
DS = -10V, VG S = -10V  
D
-20A  
Drain-S ource On-S tate R esistance  
R
DS (ON)  
D
=-10A  
-30  
On-S tate Drain C urrent  
I
D(ON)  
A
S
gFS  
14  
Forward Transconductance  
=
=
-10V, I -10A  
DS  
D
b
DYNAMIC C HAR AC TE R IS TIC S  
Input C apacitance  
950  
P
P
P
F
F
F
C
IS S  
V
DS =-15V, VG S = 0V  
Output C apacitance  
C
C
OS S  
R S S  
250  
170  
2.6  
f =1.0MH  
Z
R everse Transfer C apacitance  
G ate resistance  
R g  
V
G S =0V, VDS = 0V, f=1.0MH  
Z
ohm  
b
S WITC HING C HAR AC TE R IS TIC S  
Turn-On Delay Time  
t
D(ON)  
ns  
ns  
ns  
10  
V
DD = -15V  
= -1 A  
G S = -10V  
G E N = 6 ohm  
I
D
tr  
R ise Time  
22  
V
R
tD(OFF)  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
68.8  
38.5  
tf  
ns  
Total G ate C harge (10V)  
nC  
nC  
18.5  
V
V
DS =-15V, I  
G S =-10V  
D
= -20A  
Q
g
Total G ate C harge (4.5V)  
G ate-S ource C harge  
G ate-Drain C harge  
9.6  
1.6  
5.8  
nC  
nC  
Q
Q
gs  
gd  
2