欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

STD1224N 参数 Datasheet PDF下载

STD1224N图片预览
型号: STD1224N
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 936 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号STD1224N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STD1224N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STD1224N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STD1224N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STD1224N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STD1224N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STD1224N的Datasheet PDF文件第8页  
S TU/D1224N  
E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T =25 C unless otherwise noted)  
A
Typ C Max  
P arameter  
DR AIN-S OUR C E DIODE C HAR AC T E R IS T IC S  
C ondition  
Min  
Unit  
V
S ymbol  
b
5
Diode F orward Voltage  
1
V
S D  
V
G S = 0V, Is =10A  
1.3  
Notes  
a.S urface Mounted on FR 4 Board, t 10sec.  
b.P ulse Test:P ulse Width 300us, Duty C ycle 2%.  
c.G uaranteed by design, not subject to production testing.  
25  
20  
15  
10  
10  
25 C  
V
G S =10,9,8,7,6,5,4,3V  
8
6
-55 C  
Tj=125 C  
VG S =2V  
4
2
0
5
0
0.0  
0.6  
1.2  
1.8  
2.4  
3.0  
3.6  
0
2
4
6
8
10  
12  
VDS , Drain-to-S ource Voltage (V)  
VG S , G ate-to-S ource Voltage (V)  
Figure 1. Output C haracteristics  
Figure 2. Transfer C haracteristics  
2.2  
1.8  
V
G S =4.5V  
=6A  
1500  
I
D
1200  
900  
1.4  
1.0  
600  
0.6  
0.2  
0
C iss  
300  
0
C oss  
C rss  
0
2
4
6
8
10  
12  
-50 -25  
0
25  
50  
100 125  
Tj( C )  
75  
VDS , Drain-to S ource Voltage (V)  
Figure 4. On-R esistance Variation with  
Temperature  
Figure 3. C apacitance  
3
 复制成功!