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STD1224N 参数 Datasheet PDF下载

STD1224N图片预览
型号: STD1224N
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 936 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TU/D1224N  
E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T  
A
25 C unless otherwise noted)  
=
Typ C Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
Unit  
S ymbol  
OFF C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S 0V, I  
=
D 250uA  
=
Drain-S ource Breakdown Voltage  
24  
V
BVDS S  
uA  
nA  
I
I
DS S  
G S S  
V
V
DS 18V, VG S 0V  
Zero G ate Voltage Drain C urrent  
G ate-Body Leakage  
1
=
=
G S  
12V, VDS = 0V  
100  
=
b
ON C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S (th)  
V
G ate Threshold Voltage  
V
DS =VG S , I  
= 250uA  
D
0.7  
15  
1.2  
60  
1.8  
80  
m-ohm  
=
=
V
V
V
V
G S 4.5V, I  
D
D
6.0A  
Drain-S ource On-S tate R esistance  
R
DS (ON)  
m-ohm  
90  
130  
G S =2.5V, I  
= 5.2A  
DS = 5V, VG S = 4.5V  
On-S tate Drain C urrent  
I
D(ON)  
A
S
gFS  
10  
Forward Transconductance  
=
DS  
10V, I 6.0A  
=
D
c
DYNAMIC C HAR AC TE R IS TIC S  
Input C apacitance  
P
P
P
F
F
F
C
IS S  
528  
139  
107  
V
DS =8V, VG S = 0V  
Output C apacitance  
C
C
OS S  
R S S  
f =1.0MH  
Z
R everse Transfer C apacitance  
S WITC HING C HAR AC TE R IS TIC S c  
Turn-On Delay Time  
t
D(ON)  
13.7  
ns  
ns  
V
DD = 10V  
= 1A  
G E N = 4.5V  
I
D
R ise Time  
tr  
8.9  
V
R
R
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
tD(OFF)  
ns  
ns  
nC  
25.4  
14.1  
14.5  
L
= 10 ohm  
GE N = 6 ohm  
tf  
V
V
DS =10V,I  
D
=6A,VG S =10V  
=6A,VG S =4.5V  
Q
g
Total G ate C harge  
DS =10V,I  
D
nC  
nC  
nC  
7.2  
1.3  
G ate-S ource C harge  
G ate-Drain C harge  
Q
Q
gs  
V
V
DS =10V, I  
G S =10V  
D
= 6A  
gd  
2.1  
2
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