欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

RU1HC2H 参数 Datasheet PDF下载

RU1HC2H图片预览
型号: RU1HC2H
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 互补的先进的功率MOSFET [Complementary Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 341 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
 浏览型号RU1HC2H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号RU1HC2H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RU1HC2H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RU1HC2H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RU1HC2H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RU1HC2H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号RU1HC2H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号RU1HC2H的Datasheet PDF文件第9页  
RU1HC2H
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
V
GS
=0V,I
DS
=250µA
漏源击穿电压
V
GS
=0V,I
DS
=-250µA
V
DS
=100V, V
GS
=0V
I
DSS
零栅极电压漏极电流
T
J
=85°C
V
DS
=-100V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
GS ( TH)
I
GSS
栅极阈值电压
V
DS
=V
GS
,I
DS
=250µA
V
DS
=V
GS
,I
DS
=-250µA
栅极漏电流
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=2A
N
R
DS ( ON)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
RU1HC2H
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
N
P
N
P
N
P
N
P
100
-100
1
30
-1
-30
1.5
-1.5
2
-2
2.7
-2.7
±10
±10
75
80
155
85
95
V
µA
V
µA
µA
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=1.5A
漏源导通电阻
V
GS
= -10V ,我
DS
=-2A
P
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-1.5A
mΩ
170
195
175
二极管的特性
V
SD
I
SD
= 1A ,V
GS
=0V
二极管的正向电压
I
SD
= -1A ,V
GS
=0V
N沟道
I
SD
=3.5A,
dl
SD
/dt=100A/µs
P沟道
I
SD
=-2.5A,
dl
SD
/dt=100A/µs
N
P
N
P
N
P
42
1.2
-1.2
V
V
t
rr
反向恢复时间
ns
52
43
nC
75
Q
rr
反向恢复电荷
Copyright Ruichips半导体有限公司
启B-三月2011
2
www.ruichips.com