RU1HC2H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU1HC2H
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内容描述：	互补的先进的功率MOSFET [Complementary Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 341 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU1HC2H

互补的先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• N沟道

100V/3.5A,

DS （ ON）

=75

mΩ

（类型） @ V

=10V

DS （ ON）

=80

mΩ

（类型） @ V

=4.5V

• P沟道

-100V/-2.5A,

DS （ ON）

=155

mΩ

（类型） @ V

=-10V

DS （ ON）

=175

mΩ

（类型） @ V

=-4.5V

•

可靠，坚固耐用

•ESD保护

•无铅和绿色可用

引脚说明

SOP-8

应用

•

在笔记本电脑的电源管理

计算机。

互补MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

N沟道

100

±20

150

-55到150

3.5

①

P沟道

-100

±20

150

-55到150

-2.5

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流T

=25°C

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试牛逼

=25°C

连续漏电流

=25°C

=70°C

θJA

②

-10

3.5

2.9

1.3

62.5

-2.5

-2

最大功率耗散

=25°C

=70°C

° C / W

热阻，结到环境

启B-三月2011

www.ruichips.com

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