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BH6575FV 参数 Datasheet PDF下载

BH6575FV图片预览
型号: BH6575FV
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内容描述: 硅单片集成电路 [Silicon monolithic integrated circuit]
分类和应用:
文件页数/大小: 26 页 / 408 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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◎電気的特性4 ELECTRIC CHARACTERISTICS 4
(特に指定のない限り Unless specified particularly Ta=25℃, PVCC=REGO=2.4V, VSYS=2.5V, VG=6V, VREF=1.25V)
Parameter
ディスチャージ解除電圧
Discharge release voltage
スタータ→ノーマル
切り換え電圧
Starter → normal
switching voltage
ノーマル→スタータ
切り換え電圧
Normal → starter
switching voltage
スタータ→ノーマル
切り換えヒス幅
Starter → normal
switching hysteresis width
《 リセット Reset section 》
EI端子リセット電圧スレシ比
EI pin reset voltage
threshold ratio
RESET端子出力電圧
Reset pin output voltage
RESET端子リーク電流
Reset pin leak current
レギュレータ出力電圧
Regulator output voltage
REGB 端子出力電圧
REGB pin output voltage
REGB 端子リーク電流
REGB pin leak current
REGB 端子リミット電流
REGB pin limit current
DC_IN 減電ミュート�½�ン電圧
DC_IN low-voltage
Mute ON voltage
DC_IN 減電ミュートオフ電圧
DC_IN low-voltage
mute OFF voltage
VDC_INOF
1.9
-
-
V
VDC_INLV
-
-
1.3
V
VORESET
ILKRESET
-
-
-
-
0.5
2
V
uA
HRST
80
85
90
EI 端子スレシ電圧との比
Ratio of EI pin threshold voltage
IRESET=-1mA
VRESET=2.5V
図-4-1
図-4-1
図-4-1
Symbol
MIN
TYP
MAX
Unit
Condition
Circuit
図-4-1
《 VSYS回路部 VSYS circuit section 》
VDIS
1.40
1.51
1.62
V
Fig.4-1
図-4-1
VSTN
1.64
1.75
1.86
V
VSYS=1.5V → 2V sweep
Fig.4-1
VNST
1.56
1.67
1.78
V
VSYS=2V → 1.5V sweep
Fig.4-1
VSTNHIS
40
80
120
mV
VSTN-VNST
Fig.4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
《 レギュレータ回路部 Regulator circuit section 》
VREG
VOREGB
ILKREGB
ILMREGB
2.9
-
-
10
3.2
-
-
15
3.5
1.4
3
20
V
V
uA
mA
REGO=OPEN,DC=IN=6V
DC_IN=6V,IREGB=10mA
REGO=3.5V,DC_IN=6V,REGB=6V
DC_IN=6V
DC_IN を規定
DC_IN voltage
DC_IN を規定
DC_IN voltage
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
●耐放射線設計はしておりません。
●This product is not designed for protection against radioactive rays.
REV. B