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BH6575FV 参数 Datasheet PDF下载

BH6575FV图片预览
型号: BH6575FV
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内容描述: 硅单片集成电路 [Silicon monolithic integrated circuit]
分类和应用:
文件页数/大小: 26 页 / 408 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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◎電気的特性1 ELECTRIC CHARACTERISTICS 1
(特に指定のない限り Unless specified particularly Ta=25℃, PVCC=REGO=2.4V, VSYS=2.5V, VG=6V, VREF=1.25V)
Parameter
《 全�½�回路 Common section 》
REGO スタンバイ電流
REGO stand-by current
VG スタンバイ電流
VG stand-by current
REGO 消費電流
REGO supply current
DC_IN 消費電流
DC_IN supply current
VSYS 消費電流
VSYS supply current
VG 消費電流
VG supply current
LG端子リーク電流
LG leak current
《 PWMドライバ PWM driver 》
出力 ON 抵抗
Output on-resistance
出力オフセット電圧 12
Output offset voltage CH1,2
出力オフセット電圧 34
Output offset voltage CH3,4
電圧利得
Output voltage gain
入力不感帯幅 12 (片側)
Input dead zone CH1,2
(one side)
入力不感帯幅 34 (片側)
Input dead zone CH3,4
(one side)
《 コントロール端子スレッショルド Control pin threshold 》
MUTE 1 ONレベル入力電圧
Mute 1 ON threshold voltage
MUTE 1 OFFレベル入力電圧
Mute 1 OFF threshold voltage
MUTE 34 ONレベル入力電圧
Mute 34 ON threshold voltage
MUTE 34 OFFレベル入力電圧
Mute 34 OFF threshold voltage
VMON1
VMOFF1
VMON34
VMOFF34
1.5
-
-
1.5
-
-
-
-
-
0.5
0.5
-
V
V
V
V
図-4-1
Symbol
MIN
TYP
MAX
Unit
Condition
Circuit
図-4-1
IREGOST
IVGST
IREGO
IDC_IN
IVSYS
IVG
ILGLK
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.42
1.4
4.2
0.35
-
3
3
0.95
3.0
8.5
0.7
3
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
VSYS=0V
VSYS=0V
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
DC_IN=5V
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
CT=470pF,fCLK=88.2KHz,VIN=1.49V
LG=7V,VSYS=0V
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
トップとボトムのON抵抗の和
RON
-
1.9
4
Ω
Sum of on-resistance of top and
that of bottom
Voo
Voo
GVC
-50
-70
11.5
0
0
14.0
50
70
16.5
mV
mV
dB
RIN=30KΩ
図-4-2
Fig.4-2
図-4-2
Fig.4-2
図-4-2
Fig.4-2
図-4-2
Fig.4-2
図-4-2
VDB12
2
20
40
mV
CH1,2
Fig.4-2
図-4-2
VDB34
0
5
15
mV
CH3,4
Fig.4-2
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
図-4-1
Fig.4-1
●耐放射線設計はしておりません。
●This product is not designed for protection against radioactive rays.
REV. B