2002.08.30
版本。 6.1
三菱的LSI
M5M5W816TP - 55HI ， 70HI ， 85HI
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
（ VCC = 2.7 〜3.6V，除非另有说明）
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
2.7~3.6V
输入脉冲
V
IH
=2.4V, V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
输出负载
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.50V
过渡是从测得的± 200mV的
稳态电压。 （十， TDIS ）
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S)
t
en
(BC1,2)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
民
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间AF吨ER S ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2 ＃高
输出禁止时间自动对焦吨呃OE ＃高
输出使能时AF器S ＃低
输出使能时AF之三＃ BC1 ， BC2 ＃低
输出使能时AF器OE ＃低
地址后，数据V alid时间
55
55
55
55
55
30
20
20
20
20
10
5
5
10
10
5
5
10
55HI
最大
民
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
10
5
5
10
70HI
最大
民
85
85
85
85
85
45
30
30
30
30
85HI
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间相对于W＃
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
片选建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W＃低
输出禁止时间f光盘OE ＃高
输出使能时间f光盘W＃高
输出使能时间f光盘OE ＃低
55HI
民
55
45
0
50
50
50
50
30
0
0
最大
70HI
民
70
55
0
65
65
65
65
35
0
0
最大
85HI
民
85
60
0
70
70
70
70
45
0
0
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
20
20
5
5
5
5
25
25
5
5
30
30
4
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
