2002.08.30
版本。 6.1
三菱的LSI
M5M5W816TP - 55HI ， 70HI ， 85HI
功能
该M5M5W816TP由16组织为524288字
位。这些开发冰在单+ 2.7 〜 3.6V电源工作
供应，并直接TTL兼容到输入和
输出。它的F ully ST ATIC电路，需要的不是钟也没有
裁判RESH ，并使其USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ，S ＃ W＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S ＃ 。地址（ A0 〜 A18 ）必须设置BEF矿
写CY Ç文件，必须对整个CY Ç乐时是稳定的。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的执行
列夫·埃尔和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和
S ＃是一个ACTIV E状态（S ＃ = L ） 。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚
在ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低级
由德是在一个可选择的模式和上层由德是在一个
非可选模式。
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S ＃在一个较高的
利埃尔，该芯片是在非选择的模式，其中两个
阅读和写作都被禁止。在这种模式下，输出
阶段是在一个高阻抗状态，从而允许或结与其它
芯片和BC1 ＃ ， ＃ BC2和S ＃内存扩展。
电源供应C光凭目前被减小低至0.1μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V电源举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S#
BC1 BC2 ＃ ＃
W＃ OE ＃
模式
非选择
非选择
DQ1 〜 8 DQ9 〜 16
ICC
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
H
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
HIGH -Z STANDBY
HIGH -Z STANDBY
高阻活动唤醒中断é
高阻活动唤醒中断é
高阻活动唤醒中断é
DIN
ACTIV ê
DOUT
ACTIV ê
高阻活动唤醒中断é
DIN
ACTIV ê
DOUT
ACTIV ê
高阻活动唤醒中断é
框图
A
0
A
1
存储阵列
524288字
×16 BITS
A
17
A
18
在此表中（注） "H"和"L"意味着V
IH
或V
IL
， respectiv伊利。
"X"在此表中应该"H"or "L" 。
DQ
1
DQ
8
-
DQ
9
时钟
发电机
S#
DQ
16
BC1#
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
2
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
