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HN58V65AFPI-10 参数 Datasheet PDF下载

HN58V65AFPI-10图片预览
型号: HN58V65AFPI-10
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内容描述: 64K EEPROM ( 8千字×8位)就绪/忙功能, RES功能( HN58V66A )宽温版本 [64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature Range version]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 28 页 / 222 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HN58V65AI / HN58V66AI / HN58V65A - SR / HN58V66A -SR系列
电容
( TA = + 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容
输出电容
注意:
符号
CIN *
1
COUT *
1
典型值
最大
6
12
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
VOUT = 0 V
1,这个参数进行采样,而不是100 %测试。
AC特性
(大=
−40
〜+ 85℃ ,V
CC
= 2.7〜 5.5 V : HN58V65AI / HN58V66AI ,
TA =
−20
〜+ 85℃ ,V
CC
= 2.7〜 5.5 V : HN58V65A - SR / HN58V66A -SR )
测试条件
输入脉冲电平:
0.4 V至2.4 V(V
CC
= 2.7〜 3.6 V ) , 0.4 V至3.0 V(V
CC
= 3.6 〜5.5 V)
0 V至V
CC
( RES引脚*
2
)
输入上升和下降时间:
5纳秒
输入定时基准水平: 0.8 , 1.8 V
输出负载: 1TTL门100 pF的
输出参考电平: 1.5 V, 1.5 V
读周期1
(2.7
V
CC
& LT ;
4.5 V)
HN58V65AI/HN58V66AI
HN58V65A-SR/HN58V66A-SR
-10
参数
地址输出延迟
CE
到输出延迟
OE
到输出延迟
地址输出保持
水库
低到输出的浮动*
1, 2
水库
输出延迟*
2
符号
t
t
CE
t
OE
t
OH
t
DFR
t
RR
10
0
0
0
0
最大
100
100
50
40
350
450
单位测试条件
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
=
OE-
V
IL
,
WE
= V
IH
OE
( CE ),高输出的浮动*
1
t
DF
Rev.3.00 , Feb.02.2004 , 26第7页