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HN58V65AFPI-10 参数 Datasheet PDF下载

HN58V65AFPI-10图片预览
型号: HN58V65AFPI-10
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内容描述: 64K EEPROM ( 8千字×8位)就绪/忙功能, RES功能( HN58V66A )宽温版本 [64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature Range version]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 28 页 / 222 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HN58V65AI / HN58V66AI / HN58V65A - SR / HN58V66A -SR系列
写周期2
(4.5
V
CC
5.5 V)
参数
地址建立时间
地址保持时间
CE
写建立时间(我们控制)
CE
保持时间(我们控制)
WE
写建立时间( CE控制)
WE
保持时间( CE控制)
OE
写建立时间
OE
保持时间
数据建立时间
数据保持时间
WE
脉冲宽度(我们控制)
CE
脉冲宽度( CE控制)
数据锁存时间
字节负载循环
字节加载窗口
写周期时间
时间到设备忙
写开始时间
复位保护时间*
2
复位高电平时间*
2, 6
符号
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
WS
t
WH
t
OES
t
OEH
t
DS
t
DH
t
WP
t
CW
t
DL
t
BLC
t
BL
t
WC
t
DB
t
DW
t
RP
t
水库
闵*
3
0
50
0
0
0
0
0
0
50
0
100
100
50
0.2
100
120
0*
5
100
1
典型值
最大
30
10*
4
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
µs
ms
ns
ns
µs
µs
测试条件
注:1。吨
DF
和T
DFR
被定义为时间,让输出达到开路条件和
不再驱动。
2.此功能仅由HN58V66A支撑。
3.使用该设备的长周期超过此值。
4. t
WC
必须大于该值,除非轮询技术或RDY /忙中使用。该装置
自动完成在该值的内部写入操作。
5.接着读或写操作可以吨后开始
DW
如果轮询技术或RDY /忙中使用。
6.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
7. A6通过A12是页地址与这些地址被锁在第一个下降沿
WE 。
8. A6通过A12是页地址与这些地址被锁在第一个下降沿
CE 。
9.请参见AC阅读特点。
Rev.3.00 , Feb.02.2004 , 26第10页