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    HAT2240C-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

    HAT2240C-EL-E图片预览
    型号： HAT2240C-EL-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET电源开关 [Silicon N Channel MOS FET Power Switching]
    分类和应用： 开关电源开关
    文件页数/大小： 7 页 / 82 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号HAT2240C-EL-E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAT2240C-EL-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT2240C-EL-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HAT2240C-EL-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT2240C-EL-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAT2240C-EL-E的Datasheet PDF文件第7页  
    HAT2240C
    主要特点
    功率与温度降额
    1.6
    测试条件。
    当使用玻璃环氧基板。
    （ FR4 40 ×40× 1.6毫米）
    100
    最高安全工作区
    当使用FR4板。
    1次脉冲， TA = 25℃
    功耗P沟道（W ）
    1.2
    漏电流I
    D
    (A)
    10
    1
    m
    Pw
    =
    10
    µs
    0
    10
    µ
    s
    s
    DC
    1
    10
    s
    m
    O
    r
    pe
    0.8
    at
    n
    io
    0.1
    0.4
    0.01
    在这一领域是
    限于由R
    DS （ ON）
    0
    50
    100
    150
    200
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    环境
    温度Ta （ ° C）
    漏源电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    10
    8
    6
    4
    2
    2.2 V
    2.5 V
    10 V
    脉冲测试
    2.1 V
    2V
    1.9 V
    1.8 V
    1.7 V
    1.6 V
    1.5 V
    V
    GS
    = 0 V
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    典型的传输特性
    10
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    8
    6
    4
    2
    –25°C
    25°C
    TC = 75℃
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    （毫伏）
    400
    脉冲测试
    300
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    1000
    脉冲测试
    2.5 V
    100
    V
    GS
    = 4.5 V
    200
    I
    D
    = 2.5 A
    100
    1.3 A
    0.5 A
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    10
    0.1
    1
    10
    100
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.4.00 2006年4月5日第3页6

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