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HAT2240C-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

HAT2240C-EL-E图片预览
型号: HAT2240C-EL-E
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内容描述: 硅N沟道MOS FET电源开关 [Silicon N Channel MOS FET Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 7 页 / 82 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2240C
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
漏极至源极漏电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体 - 漏极二极管的正向电压
注: 3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
V
DF
60
±12
0.4
3.3
典型值
75
85
5
590
60
35
17
50
41
4
6
1.2
1.4
0.8
最大
±10
1
1.4
98
119
1.1
单位
V
µA
µA
V
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 µA,
V
DS
= 0
V
GS
=
±10
V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 1.3 A,V
GS
= 4.5 V
Note3
I
D
= 1.3 A,V
GS
= 2.5 V
Note3
I
D
= 1.3 A,V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 1.3 A
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V
R
L
= 7.7
Ω,
RG = 4.7
V
DD
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.5 A
I
F
= 2.5 A,V
GS
= 0
Note3
Rev.4.00 2006年4月5日第2 6