欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HAT2195R 参数 Datasheet PDF下载

HAT2195R图片预览
型号: HAT2195R
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 7 页 / 84 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
 浏览型号HAT2195R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAT2195R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HAT2195R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HAT2195R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT2195R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAT2195R的Datasheet PDF文件第7页  
HAT2195R
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注: 4.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
30
1.0
25
典型值
4.6
5.8
42
3400
785
250
1.0
23
10
5.5
12
16
50
6.5
0.80
32
最大
± 0.1
1
2.5
5.8
8.4
1.04
单位
V
µA
µA
V
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
9 = A,V
GS
= 10 V
Note4
I
D
9 = A,V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
9 = A,V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 9 A
V
DD
10 V
R
L
= 1.11
RG = 4.7
IF = 18 A,V
GS
= 0
Note4
IF = 18 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
主要特点
功率与温度降额
4.0
500
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40x40x1.6毫米) , PW < 10秒
3.0
最高安全工作区
10 µs
P沟(W)的
I
D
(A)
100
PW
1m
10
10
散热通道
漏电流
DC
=1
s
s
Op
e
0m
s
2.0
RAT
1.0
(P
W
N
1在操作
& LT ; 1
OTE
0s
5
这个区域是
)
限于由R
DS ( ON)
0.1
离子
0
50
100
150
的Ta (℃)
200
环境温度
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
注5:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40x40x1.6毫米)
TA = 25℃
1次脉冲
Rev.3.00 , Apr.01.2004 , 6 2页