HAT2195R
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G0060-0300Z
Rev.3.00
Apr.01.2004
特点
•
•
•
•
•
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 4.6 m
Ω
(典型值) 。 (在V
GS
= 10 V)
概要
SOP-8
5 6 7 8
D D D D
5
7 6
8
4
G
3
1 2
4
1, 2, 3
来源
4
门
5,6, 7,8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到环境热阻
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -A
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
18
144
18
18
32.4
2.5
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
注意事项: 1, PW
≤
10
µs,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C , RG
≥
50
Ω
3.当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW
≤
10s
Rev.3.00 , Apr.01.2004 ,页6 1