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HAT2064R 参数 Datasheet PDF下载

HAT2064R图片预览
型号: HAT2064R
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内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 7 页 / 89 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2064R
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
20
脉冲测试
16
I
D
= 2 A, 5 A, 10 A
V
GS
= 4.5 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | ( S)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
TC = -25°C
12
75°C
8
25°C
4
10 V
0
–40
0
40
2 A, 5 A, 10 A
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
100
80
120
160
外壳温度
Tc
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
1000
科斯
300
CRSS
100
30
10
西塞
体漏二极管的反向
恢复时间
反向恢复时间trr ( NS )
100
50
20
的di / dt = 50A /
µs
V
GS
= 0 , TA = 25℃
10
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
电容C (PF )
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
I
D
= 16 A
V
GS
V
DD
= 25 V
10 V
5V
16
开关特性
V
GS
(V)
20
200
100
50
TD (上)
tf
tr
TD (关闭)
50
40
漏源极电压
30
V
DS
20
12
栅极至源极电压
开关时间t( NS )
20
10
5
8
10
0
0
20
V
DD
= 25 V
10 V
5V
40
60
80
4
0
100
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
RG = 4.7
Ω,
1 %
2
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
栅极电荷
QG ( NC )
漏电流
I
D
(A)
Rev.9.00 2005年9月7日第4 6