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HAT2064R 参数 Datasheet PDF下载

HAT2064R图片预览
型号: HAT2064R
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内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 7 页 / 89 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2064R
主要特点
功率与温度降额
4.0
500
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6毫米) , PW
10 s
10
µs
最高安全工作区
P沟(W)的
100
I
D
(A)
10
3.0
散热通道
2.0
1.0
漏电流
s
=1
Op
0m
ERA
s
TIO
n(
PW
N
1在操作
1
OTE 4
0s
这个区域是
)
限于由R
DS ( ON)
0.1
10
DC
PW
1m
0
µ
s
TA = 25°C
1次脉冲
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
环境温度
的Ta (℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
注4 :
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
典型的输出特性
50
10 V
4.5 V
50
3.5 V
脉冲测试
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
(A)
(A)
I
D
3V
40
40
I
D
30
30
漏电流
20
漏电流
20
25°C
TC = 75℃
10
–25°C
0
10
V
GS
= 2.5 V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
0.16
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
100
脉冲测试
50
0.20
漏源极电压
0.12
20
10
5
10 V
2
1
0.1 0.2 0.5 1
V
GS
= 4.5 V
0.08
I
D
= 10 A
0.04
5A
2A
0
0
4
8
12
16
20
2
5 10 20
50 100
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.9.00 2005年9月7日第3页6