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    HAT1127H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

    HAT1127H-EL-E图片预览
    型号： HAT1127H-EL-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道功率MOS FET电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
    文件页数/大小： 7 页 / 87 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第7页  
    HAT1127H
    主要特点
    功率与温度降额
    40
    –500
    –100
    30
    10
    0
    µ
    µ
    s
    1m
    s
    PW
    s
    =1
    DC
    0m
    Op
    ERA
    s
    TIO
    n
    最高安全工作区
    P沟（W）的
    漏电流I
    D
    (A)
    10
    散热通道
    –10
    20
    –1
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    10
    –0.1
    TA = 25°C
    1次脉冲
    0
    50
    100
    150
    200
    –0.01
    –0.1 –0.3
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    外壳温度
    TC （ ℃）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    –10 V
    典型的输出特性
    –4.5 V
    –2.9 V
    –3.0 V
    典型的传输特性
    –50
    V
    DS
    = –10 V
    脉冲测试
    –50
    –2.8 V
    –2.7 V
    漏电流I
    D
    (A)
    –30
    –2.6 V
    漏电流I
    D
    (A)
    –40
    –40
    –30
    TC = 75℃
    –20
    –2.5 V
    V
    GS
    = –2.4 V
    –20
    –10
    脉冲测试
    –10
    25°C
    –25°C
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    –0.20
    脉冲测试
    –0.16
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    100
    脉冲测试
    50
    漏极至源极电压V
    DS （ ON）
    (V)
    –0.12
    I
    D
    = –20 A
    –10 A
    –5 A
    0
    –4
    –8
    –12
    –16
    –20
    20
    10
    5
    –10 V
    2
    1
    –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2
    V
    GS
    = –4.5 V
    –0.08
    –0.04
    –5 –10 –20 –50 –100
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.5.00 2006年1月20日第3页6

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