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    HAT1127H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

    HAT1127H-EL-E图片预览
    型号： HAT1127H-EL-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道功率MOS FET电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
    文件页数/大小： 7 页 / 87 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAT1127H-EL-E的Datasheet PDF文件第7页  
    HAT1127H
    硅P沟道功率MOS FET
    电源开关
    REJ03G1330-0500
    Rev.5.00
    2006年1月20日
    特点
    •
    •
    •
    •
    能够-4.5 V门极驱动
    低驱动电流
    高密度安装
    超低导通电阻
    R
    DS （ ON）
    = 3.6毫欧（典型值） 。 （在V
    GS
    = –10 V)
    概要
    瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A
    （包名称： LFPAK ）
    5
    D
    5
    4
    G
    3
    12
    4
    1, 2, 3
    4
    5
    来源
    门
    漏
    S S S
    1 2 3
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    体漏二极管的反向漏电流
    散热通道
    通道到外壳的热阻
    通道温度
    储存温度
    注意事项： 1， PW
    ≤
    10
    µs,
    占空比
    ≤
    1%
    2. TC = 25℃
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D(pulse)Note1
    I
    DR
    PCH
    Note2
    θch -C
    Note2
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    –30
    –20/+10
    –40
    –160
    –40
    30
    4.17
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    ° C / W
    °C
    °C
    Rev.5.00 2006年1月20日第1页6

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