HAT1043M 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT1043M
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内容描述：	硅P沟道功率MOS FET电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 96 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT1043M

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–10

反向漏电流I

(A)

–8

–

5 V

–6

–4

0, 5

–2

脉冲测试

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

源极到漏极电压

SDF

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

ULS

0.01

θch

- F（T） =

S（ T） •

θch

– f

θch

- F = 119 ° C / W ，TA = 25℃

当使用氧化铝陶瓷板

(50

0.7 mm)

0.001

0.0001

100

10 m

100 m

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

VIN

输入电压监视器

D.U.T.

VOUT

MONITOR

开关时间波形

10%

90%

VIN

10 V

Ω

= –10 V

VOUT

TD （上）

10%

TD （关闭）

10%

Rev.6.00 2005年9月7日第5 6

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