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HAT1043M 参数 Datasheet PDF下载

HAT1043M图片预览
型号: HAT1043M
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内容描述: 硅P沟道功率MOS FET电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 96 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT1043M
主要特点
功率与温度降额
2.0
–100
–30
10
µs
最高安全工作区
P沟(W)的
I
D
(A)
1.5
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
散热通道
1.0
0.5
漏电流
1
m
=1
s
DC
0m
Op
s(
1s
er
ho
at
离子
t)
(P
操作
W
这个区域是
5
s)
限于由R
DS ( ON)
No
te
5
PW
100
µs
0
0
50
100
150
200
-0.03 TA = 25℃
1次脉冲
–0.01
–1
–0.1 –0.3
–3
–10
–30
–100
环境温度
的Ta (℃)
漏极至源极电压V
DS
(V)
注5 :
当使用氧化铝陶瓷板
(50
×
50
×
0.7 mm)
测试条件:
当使用氧化铝陶瓷板
(50
×
50
×
0.7mm)的, ( PW
5 s)
典型的输出特性
–10
–10 V
–4 V
脉冲测试
–10
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
漏电流
–2 V
I
D
(A)
–8
–3 V
–2.5 V
–8
–6
–6
漏电流
–4
–4
TC = -25°C
75°C
0
0
–1
25°C
–2
–3
–4
–5
–2
V
GS
= –1.5 V
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–2
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
1000
脉冲测试
500
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
–0.5
–0.4
200
100
50
V
GS
= –2.5 V
–0.3
I
D
= –5 A
–0.2
–2 A
–1 A
0
–4
–8
–12
–16
–20
–4.5 V
–0.1
20
10
–0.1 –0.2
0
–0.5 –1
–2
–5 –10 –20
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.6.00 2005年9月7日第3页6