HAT1025R-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT1025R-EL-E
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内容描述：	硅P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小：	8 页 / 97 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT1025R

开关特性

500

开关时间t（ NS ）

200

100

TD （关闭）

TD （上）

10 V = –4 V, V = –10 V

PW = 3

µs,

税

≤

1 %

–2

–5

–0.2 –0.5 –1

–10

–20

漏电流

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

(A)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 1驱动器操作）

D=1

0.5

0.1

0.2

0.1

0.05

θch

- F（T） =

S（ T） •

θch

– f

θch

- F = 125°C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6 mm)

LSE

0.01

0.02

0.01

10 m

100 m

100

0.001

0.0001

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 2驱动器操作）

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

D=1

0.5

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

θch

- F（T） =

S（ T） •

θch

– f

θch

- F = 166 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6 mm)

10 m

100 m

100

1000

10000

0.01

0.001

ULS

0.0001

100

脉冲宽度PW （S ）

Rev.10.00 2005年9月7日第5 7

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