HAT1025R
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
–20
±10
–4.5
–36
–4.5
2
3
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
PCH
注3
PCH
总胆固醇
TSTG
注2
注意事项： 1， PW
≤
10
µs,
占空比
≤
1%
2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–20
±10
—
—
–0.5
—
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.065
0.09
7
860
450
150
20
120
120
100
–0.9
60
最大
—
—
±10
–10
–1.5
0.095
0.15
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.4
—
单位
V
V
µA
µA
V
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -4.5 A，V
GS
= 0
I
F
= -4.5 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 20 A / μs的
注4
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 µA,
V
DS
= 0
V
GS
=
±8
V, V
DS
= 0
V
DS
= –20 V, V
GS
= 0
V
DS
= -10 V，I
D
= -1毫安
I
D
= -3 A ，V
GS
= –4 V
注4
I
D
= -3 A ，V
GS
= –2.5 V
I
D
= -3 A ，V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= -4 V，I
D
= –3 A,
V
DD
≅
–10 V
注4
注4
Rev.10.00 2005年9月7日第2 7
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
