HAT1023R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT1023R
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内容描述：	硅P沟道功率MOSFET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 89 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT1023R

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

正向转移导纳| YFS | （ S）

0.10

脉冲测试

0.08

= –5, –2, –1 A

0.06

= –2.5 V

0.04

–5, –2, –1 A

0.02

–4 V

–40

75°C

0.5

–0.2

= –10 V

脉冲测试

–0.5

–1

–2

–5

–10 –20

25°C

TC = -25°C

120

160

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

3000

1000

300

100

西塞

科斯

CRSS

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

500

200

100

–0.2

的di / dt = 20A /

µs

= 0 ， TA = 25℃

–0.5

–1

–2

–5

–10

–20

电容C （PF ）

= 0

F = 1 MHz的

–4

–8

–12

–16

–20

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

开关特性

(V)

–2

漏源极电压

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

–10

= –5 V

–10 V

–20 V

(V)

1000

500

TD （关闭）

–20

–4

200

100

TD （上）

–30

= –20 V

–10 V

–5 V

= –7 A

–6

–40

–8

–50

–10

20 V = –4 V, V = –10 V

PW = 3

µs,

税

≤

1 %

–0.2

–0.5 –1

–2

–5

–10

–20

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.9.00 2005年9月7日第4 6

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